Главная » Технологии » Высокочастотные фотоприемники на основе КРТ
Контакты English

Высокочастотные фотоприемники на основе КРТ

ВЫСОКОЧАСТОТНЫЕ  ФОТОПРИЕМНИКИ  НА  ОСНОВЕ  КРТ

Image
Высокочастотный фотодиод

 

Данные приемники могут применяться как при прямом детектировании, так и при гетеродинном приеме.

Области применения:

  • в лидарах для дистанционного зондирования атмосферы в научных и экологических целях,
  • в радарах для измерения скорости, высоты, направления и дальности движения объекта.

Очень важное и актуальное применение связано с наблюдением слабозаметных подвижек земной коры для ранней диагностики землетрясений и повышенной вулканической деятельности.

Детекторы являются также базовым элементом диагностических методов исследования свойств высокотемпературной (термоядерной) плазмы и свойств веществ, определяемых по взаимодействию с терагерцовым излучением.

Фотоприемники используются в настоящее время в ИЯФ СО РАН для диагностики высокотемпературной плазмы:

  • исследование прямым методом локальной динамики ионно-звуковой турбулентности плазмы, как основного механизма эффективного нагрева плазмы;
  • регистрация ленгмюровской турбулентности, как источника повышенного нагрева плазмы в максимумах магнитного поля гофрированной ловушки.

 

    Технические характеристики

    Длина волны в максимуме  чувствительности, мкм 9,9
    Длинноволновая граница спектральной чувствительности по уровню 0,1λ0,1, мкм 11,0
    Размер фоточувствительной площадки, мкм диаметр 250
    Быстродействие, нс  10
    Пороговая мощность в максимуме чувствительности при прямом детектировании, ВтГц-0,5 3,8×10-13
    Пороговая мощность в максимуме чувствительности при гетеродинном приеме, ВтГц-1 10-19
    Рабочая температура, К 77-78
    Параметры криостата:
    - габаритные размеры, мм3 
    - входное окно
    - время непрерывной работы при одной заливке, часов
    - апертурный угол ФЧЭ, ограниченный охлаждаемой диафрагмой, 
     
    70×90×140
    Сменное
    8
    30
    Параметры предусилителя:
    - полоса частот, ГГц
    - коэффициент усиления  
     
    1
    10

 

Институт физики полупроводников СО РАН